ISNI: |
0000 0003 5891 3761
https://isni.org/isni/0000000358913761
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Name: |
Chaussende, Didier
Chaussende, Didier (Auteur.)
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Dates: |
1973-... |
Creation class: |
Computer file
Language material
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Creation role: |
author |
Related names: |
Boulle, Alexandre
Claudel, Arnaud (1983-....))
Dompoint, Déborah (1983-....))
Mercier, Frédéric (1982-....))
Monteil, Yves (19..-....))
Peyre, Hervé (19..-....))
Pons, Michel (19..-....; physicien))
Soulière, Véronique (19..-....))
Université Claude Bernard (Lyon) Organisme de soutenance
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Titles: |
Addition de Ge dans le système chimique H-Si-C durant l'épitaxie de SiC.
Addition of Ge to the H-Si-C chemical system during SiC epitaxy
Cubic silicon carbide crystal growth from high temperature solution
Elaboration et caractérisation de couches de nitrure d'aluminium AlN par CVD haute température en chimie chlorée
Etude de la transition 3C-6H au sein de monocristaux de 3C-SiC approche par diffusion diffuse des rayons X
Growth and characterization of aluminium nitride layers by high temperature chloride CVD
Study of the 3C-6H transition in 3C-SiC single crystals : Approach using diffuse X-ray scattering.
Techniques alternatives de cristallogenèse du carbure de silicium
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Notes: |
Thèse : 2000LYO10269
Thèse de doctorat : Chimie minérale : Lyon 1 : 2000
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Sources: |